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中国功能晶体研究进展 Review

王继扬,于浩海,吴以成,Robert Boughton

《工程（英文）》 2015年 第1卷 第2期   页码 192-210 doi: 10.15302/J-ENG-2015053

摘要：

功能晶体是现代科学技术发展的基础材料之一，在当前信息时代发挥着重要和关键的作用。本文总结了若干功能晶体的研究进展，综述了中国功能晶体的现状及重大成就和重要应用，讨论了功能晶体面临的挑战和机遇，提出了可能的发展方向。

关键词： 功能材料，激光晶体，非线性光学晶体，闪烁晶体， 弛豫型铁电晶体，半导体    

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基于半导体纳米晶体的神经突触器件 Review

步明轩1,2,王越1,2,尹蕾1,2,童周禹1,2,张懿强3,杨德仁1,2,4,5,皮孝东1,2,4,5

《信息与电子工程前沿（英文）》 2022年 第23卷 第11期   页码 1579-1601 doi: 10.1631/FITEE.2100551

摘要： 在用于制备突触器件的各种材料中，半导体纳米晶体（NCs）因其优异的电学和光学性能而成为首选材料之一。本综述论文首先介绍了基于半导体纳米晶体的突触器件的研究背景及半导体纳米晶体的基本性质。然后，根据器件有源层所用纳米晶体种类的不同，分类介绍了基于纳米晶体的突触器件的最新研究进展。最后，讨论了基于半导体纳米晶体的突触器件目前仍面临的问题和挑战。

关键词： 半导体纳米晶体；突触器件；神经形态计算    

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制药工业中结晶过程的最新进展 Review

高振国, Rohani Sohrab, 龚俊波, 王静康

《工程（英文）》 2017年 第3卷 第3期   页码 343-353 doi: 10.1016/J.ENG.2017.03.022

摘要： 本文中，我们综述了制药工业中晶体工程以及结晶过程设计和控制的最新研究进展，系统地总结了理解和开发新型晶体如共晶、多晶型、溶剂化物的方法，包括一些重要的进展，如第一个共晶药物Entresto (诺华) 的诞生以及

关键词： 结晶     晶体工程     多晶型     结晶过程设计和控制     晶体粒度分布    

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光电子晶体与全固态激光器及其应用——光电子技术发展的一个重大方向

许祖彦

《中国工程科学》 1999年 第1卷 第2期   页码 72-77

摘要：

光电子时代是微电子技术、激光技术、材料科学等高速发展、综合集成的产物。20世纪90年代光电子晶体的长足进步和大功率半导体激光技术的突破，导致全固态激光器的实用化，这将促使光电子技术在21世纪前50年对更多的国家支柱产业作出重大贡献，如先进制造业的材料加工、信息业的光存储、娱乐业的激光显示、能源业的激光核聚变电站和核裂变燃料生产、军工业的激光武器升级换代等。

关键词： 光电子晶体     全固态激光器     材料加工     光存储     激光显示     激光核聚变    

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8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 关键技术研究 Article

刘国友,丁荣军,罗海辉

《工程（英文）》 2015年 第1卷 第3期   页码 361-366 doi: 10.15302/J-ENG-2015043

摘要：

基于8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 生产线的建设，重点解决了8英寸IGBT先进工艺技术、第四代高压双扩散金属氧化物半导体 (DMOS+) IGBT技术和第五代沟槽栅IGBT技术等关键技术问题

关键词： 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)     高功率密度     沟槽栅     8英寸     轨道交通    

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决定晶体硅太阳电池工作状态的独立参量的确定

丁金磊,程晓舫,翟载腾,查,茆美琴

《中国工程科学》 2007年 第9卷 第4期   页码 94-98

摘要：

从晶体硅太阳电池功率全微分方程出发，结合开路电压和功率随温度、日照变化的实验事实，研究 影响晶体硅太阳电池工作状态的各参量的独立性。

关键词： 晶体硅太阳电池     功率全微分     参量独立性     串联内阻    

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晶体硅太阳电池最大功率下负载的函数表达

丁金磊,程晓舫,余世杰,何慧若

《中国工程科学》 2005年 第7卷 第6期   页码 45-49

摘要：

从实际的晶体硅太阳电池电路基本方程出发，推导出晶体硅太阳电池最大功率下负载的函数表达。与传统的电工电路不同，太阳电池电路最大功率点下的负载大于太阳电池内阻，并随着温度的升高，其比值逐渐降低。

关键词： 晶体硅太阳电池     最大功率     负载    

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中国先进半导体材料及辅助材料发展战略研究

“先进半导体材料及辅助材料”编写组

《中国工程科学》 2020年 第22卷 第5期   页码 10-19 doi: 10.15302/J-SSCAE-2020.05.002

摘要：

目前，以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料快速发展，我国亟需抓住战略机遇期，实现先进半导体材料、辅助材料的自主可控，保障相关工业体系安全。本文在分析全球半导体材料及辅助材料研发与产业发展现状的基础上，寻找差距，结合我国现实情况，提出了构建半导体材料及辅助材料体系化发展、上下游协同发展和可持续发展的发展思路，制定了面向2025年和2035年的发展目标为推动我国先进半导体材料及辅助材料产业发展，提出了建设集成电路关键材料及装备自主可控工程，SiC和GaN半导体材料、辅助材料、工艺及装备验证平台，先进半导体材料在第五代移动通信技术、能源互联网及新能源汽车领域的应用示范工程最后，为推动半导体产业的创新发展，从坚持政策推动，企业和机构主导，整合国内优势资源；把握“超越摩尔”的历史机遇，布局下一代集成电路技术；构建创新链，进行创新生态建设等方面提出了对策建议

关键词： 先进半导体材料     辅助材料     第三代半导体     2035    

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高分辨深紫外激光光电子能谱仪进展 Review Articles

Zu-yan XU, Shen-jin ZHANG, Xing-jiang ZHOU, Feng-feng ZHANG, Feng YANG, Zhi-min WANG, Nan ZONG, Guo-dong LIU, Lin ZHAO, Li YU, Chuang-tian CHEN, Xiao-yang WANG, Qin-jun PENG

《信息与电子工程前沿（英文）》 2019年 第20卷 第7期   页码 885-913 doi: 10.1631/FITEE.1800744

摘要： 本文简要回顾了笔者所在团队研制的深紫外全固态激光光电子能谱仪近期研究成果。采用非线性晶体KBe2BO3F2（KBBF）倍频产生深紫外全固态激光，与传统非相干光源如气体放电灯和同步辐射形成互补，大大提高光电子能谱仪的能量、动量和自旋分辨率。由于具有光子能量高、线宽窄、光子通量密度高等优点，深紫外全固态激光光电子能谱仪开发出许多新功能，在高温超导体、拓扑绝缘体、费米半金属等领域观测到许多新现象，获得大量新的科学信息。深紫外全固态激光源为光电子能谱技术注入了新活力，为科技前沿领域提供了新的研究平台。

关键词： 深紫外全固态激光器；二倍频；KBe2BO3F2非线性晶体；光电子能谱仪    

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基于特定最低有效位动态阈值碳纳米管场效应晶体管的高效优化近似栅极扩散输入全加器 Research Article

Ayoub SADEGHI1,Razieh GHASEMI2,Hossein GHASEMIAN3,Nabiollah SHIRI1

《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年 第24卷 第4期   页码 599-616 doi: 10.1631/FITEE.2200077

摘要： 碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）可替代传统晶体管，尤其在基于近似计算的容错数字电路中。本文结合CNTFET技术和栅极扩散输入（GDI）技术，提出3种分别具有6、6和8个晶体管的基于近似计算的全加器。采用基于非支配排序的遗传算法II，将管数和手性向量作为变量，对所提单元进行性能寻优。在电路晶体管中使用的动态阈值技术修正了可能出现的输出压降。所提电路出色的电路性能和差错率使其可以作为复杂算术电路（如乘法器）的最低有效位（LSB）部分。

关键词： 碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）；优化算法；基于非支配排序的遗传算法II（NSGA-II）；栅极扩散输入（GDI）；近似计算    

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DyFe11Ti磁结构及其自旋重取向的中子衍射研究 Article

Olivier Isnard, Eder J. Kinast

《工程（英文）》 2020年 第6卷 第2期   页码 153-157 doi: 10.1016/j.eng.2019.11.009

摘要： 尽管磁结构发生了很大的变化，但在研究的温度范围内ThMn12型晶体结构一直保持不变。在第一阶段的自旋重取向温度（TSR1）时，观察到了易磁化轴的急剧倾斜；易磁化轴与晶体c轴之间的夹角从2 K的90°减小到200 K时的约

关键词： 中子衍射，磁相图，晶体结构    

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分子电子学的发展 Review

Paven Thomas Mathew, 房丰洲

《工程（英文）》 2018年 第4卷 第6期   页码 760-771 doi: 10.1016/j.eng.2018.11.001

摘要： 这是一个包含物理、化学、材料科学及工程等学科的多学科交叉领域。分子电子学致力于使硅元件尺寸进一步减小。科学家已经在等效分子器件方面进行了诸多探索性研究。分子电子学在电子以及光子应用中逐渐产生影响，如导电聚合物、光色材料、有机超导体、电致变色材料等。为了满足减小硅片尺寸的需求，研究人员有必要将这种新型技术引入到分子层面。本文将对不同分子器件和潜在的适用于不同器件的分子应用结合起来进行讨论，如分子晶体管、分子二极管、分子电容、分子导线和分子绝缘体等。

关键词： 分子电子学     分子晶体管     分子二极管     分子电容器     分子导线     石墨烯    

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在现场可编程门阵列中用于降低泄漏功率的动态电源门控 Research Article

Hadi JAHANIRAD

《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年 第24卷 第4期   页码 582-598 doi: 10.1631/FITEE.2200084

摘要： 现场可编程门阵列（FPGA）器件由于其低设计成本和可重构性，在电子系统中得到广泛应用。在手持电子系统等电池受限的应用中，低功耗FGPA的需求很大。在现代集成电路技术中，泄漏功率几乎相当于动态功率，因此降低泄漏功率可以显著节省能耗。我们提出一种基于静态随机存取存储器（SRAM）的FPGA高效架构，其中每个模块定义了两种模式（活动模式和休眠模式）。在休眠模式下，模块消耗超低泄漏功率。当模块输出对新输入向量的评估时，模块模式由休眠模式动态改变为活动模式。在产生正确的输出后，该模块返回到休眠模式。所提电路设计在活动模式和休眠模式下都降低了泄漏功耗。通过在FPGA-SPICE软件上实现北卡罗来纳州微电子中心（MCNC）基准电路，将所提出的低泄漏FPGA体系结构与最先进的体系结构进行比较。仿真结果表明，休眠模式下泄漏功耗降低约95%。此外，与以往的最佳设计相比，总功耗（泄漏功耗+动态功耗）降低15%以上。平均面积开销（4.26%）小于其他电源门控设计。

关键词： 现场可编程门阵列（FPGA）；泄漏功率；电源门控；晶体管级电路设计    

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高压VDMOS的一种高精度静态物理模型

鲍嘉明,孙伟锋,赵 野,陆生礼

《中国工程科学》 2008年 第10卷 第2期   页码 72-78

摘要：

提出了高压VDMOS的一种高精度静态物理模型(HASPM)。在该模型中，基于更为合理的假设而使得用解析方法求得了双扩散沟道区中的电场和电压；通过深入研究VDMOS 内部的物理特性，给出了一个关于漂移区电场的微分方程，并在整个漂移区都用解析方法求解了该微分方程，由此求得了漂移区的电压降。计算结果表明， 该模型在漏端电流接近饱和处的稳定性有较大提高，具有较高的计算精度，特别是在栅电压与漏电压都比较大的情况下，其计算精度有较大程度的提高。

关键词： 垂直双扩散MOS场效应晶体管     静态物理模型     解析方法    

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几种新体制半导体激光器及相关产业的现状、挑战和思考

韦欣,李明,李健,汪超,李川川

《中国工程科学》 2020年 第22卷 第3期   页码 21-28 doi: 10.15302/J-SSCAE-2020.03.004

摘要：

半导体激光器产业体量大、辐射和带动能力强，作为激光器工业的基础，被广泛应用在光通信、光信息处理、新型加工、激光显示、生物和医学传感等工业、为了适应逐渐扩大的应用范围，满足不同应用场景所提出的新要求，半导体激光器领域近年来通过学科交叉渗透不断地引入了各种新机制、新概念以及新结构，大大优化了其波长覆盖范围、光束质量、器件体积和功耗、调制速度以及输出功率本文通过对比几种新型激光器的物理内涵、结构设计及制备手段，介绍了几种应用前景广泛且发展势头强劲的半导体激光器。结合我国相关产业的发展现状指出，半导体激光器产业的发展仍然应与应用紧密结合，通过市场和强大的系统开发能力闭环优化器件性能，提升核心技术，通过交叉学科融通不断引入新概念、新结构和新工艺。同时，结合国内政策导向优势，在垂直外腔面发射激光器、微纳结构激光器以及拓扑绝缘体激光器等几个发展势头强劲的新型激光技术中加大投入，进行批量生产和可控制备研发，力争在国际相关领域的竞争中抢占战术制高点。

关键词： 半导体激光器，光泵浦垂直外腔面发射激光器，纳米激光器，拓扑绝缘体激光器    

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标题 作者 时间 类型 操作

中国功能晶体研究进展

王继扬,于浩海,吴以成,Robert Boughton

期刊论文

基于半导体纳米晶体的神经突触器件

步明轩1,2,王越1,2,尹蕾1,2,童周禹1,2,张懿强3,杨德仁1,2,4,5,皮孝东1,2,4,5

期刊论文

制药工业中结晶过程的最新进展

高振国, Rohani Sohrab, 龚俊波, 王静康

期刊论文

光电子晶体与全固态激光器及其应用——光电子技术发展的一个重大方向

许祖彦

期刊论文

8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 关键技术研究

刘国友,丁荣军,罗海辉

期刊论文

决定晶体硅太阳电池工作状态的独立参量的确定

丁金磊,程晓舫,翟载腾,查,茆美琴

期刊论文

晶体硅太阳电池最大功率下负载的函数表达

丁金磊,程晓舫,余世杰,何慧若

期刊论文

中国先进半导体材料及辅助材料发展战略研究

“先进半导体材料及辅助材料”编写组

期刊论文

高分辨深紫外激光光电子能谱仪进展

Zu-yan XU, Shen-jin ZHANG, Xing-jiang ZHOU, Feng-feng ZHANG, Feng YANG, Zhi-min WANG, Nan ZONG, Guo-dong LIU, Lin ZHAO, Li YU, Chuang-tian CHEN, Xiao-yang WANG, Qin-jun PENG

期刊论文

基于特定最低有效位动态阈值碳纳米管场效应晶体管的高效优化近似栅极扩散输入全加器

Ayoub SADEGHI1,Razieh GHASEMI2,Hossein GHASEMIAN3,Nabiollah SHIRI1

期刊论文

DyFe11Ti磁结构及其自旋重取向的中子衍射研究

Olivier Isnard, Eder J. Kinast

期刊论文

分子电子学的发展

Paven Thomas Mathew, 房丰洲

期刊论文

在现场可编程门阵列中用于降低泄漏功率的动态电源门控

Hadi JAHANIRAD

期刊论文

高压VDMOS的一种高精度静态物理模型

鲍嘉明,孙伟锋,赵 野,陆生礼

期刊论文

几种新体制半导体激光器及相关产业的现状、挑战和思考

韦欣,李明,李健,汪超,李川川

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